本項目的目標是采用華虹N EC0. 18 u m RFSiGe B iC MOS工藝研發(fā)一款155Mbps寬帶光通信跨阻放大器芯片,工作電源電壓在3V,最大差分跨阻增益可達220k0,動(dòng)態(tài)范圍達40dBm,可應用于FTTH, SONET/SDH/ATM網(wǎng)絡(luò ),百兆以太網(wǎng),客戶(hù)面向全國范圍內的各類(lèi)光模塊產(chǎn)品設計生產(chǎn)廠(chǎng)家。本項目為科技含量極高的高速模擬集成電路芯片,充分利用目前市場(chǎng)供小于求的現狀。

本項目研發(fā)能推動(dòng)我國研制和生產(chǎn)具有自主知識產(chǎn)權的光通信類(lèi)芯片的研發(fā)能力 , 改變目前依賴(lài)進(jìn)口 IC的被動(dòng)局面,具有很好的經(jīng)濟和社會(huì )效益。