由于可以對載流子產(chǎn)生三維量子限制效應，半導體量子點(diǎn)激光器比現有應用的半導體量子阱激光器具有更低成本、更低功耗、更高調制速率和更佳溫度穩定性等優(yōu)點(diǎn)。量子點(diǎn)激光器可廣泛用于光通信、激光顯示、大型計算機內部光互連等領(lǐng)域，并因其可實(shí)現無(wú)需制冷直接調制，成本較低，尤其適用于作為光纖到戶(hù)（FTTH）工程中的激光光源。

; 技術(shù)創(chuàng )新性：中國科學(xué)院半導體所在國家973計劃、863計劃支持下，在國內最先開(kāi)展量子點(diǎn)材料和器件的研究，具有十多年的研究積累，在量子點(diǎn)激光器方面的技術(shù)達到國際先進(jìn)水準：已成功實(shí)現1.3μm波長(cháng)激光器的10Gbps直接調制，在10—60℃范圍內器件的特征溫度達到500K以上。這兩項指標都處于國際先進(jìn)水準，填補了國內相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白。

該項目組擁有分子束外延和金屬有機化學(xué)氣相沉積系統以及完整的器件工藝線(xiàn)，具有完整的芯片外延、工藝制作、器件測試條件。目前，已成功研制出高質(zhì)量量子點(diǎn)材料和高性能量子點(diǎn)激光器，實(shí)現了1.3μm波長(cháng)量子點(diǎn)激光器的10Gbps直接調制，器件在10—60℃范圍內特征溫度達到500K以上。