PCRAM是以硫系( Chalcogenide)化合物(典型材料Ge2Sb2Te5 )為基礎的半導體存儲器。 PCRAM不但具有高速讀寫(xiě)、非易失性、低功耗的技術(shù)優(yōu)勢,而且PCRAM還具有信息安全性高和自主知識產(chǎn)權等特點(diǎn);此外PCRAM在工藝上和標準CMOS技術(shù)完全兼容,只需增加2~3張光罩就能完成PCRAM芯片的集成 ,在28nm及以下工藝節點(diǎn)更具特有的微縮性。當前,我國已成為世界上最大的通信基站、手機、計算機、高清電視等電子產(chǎn)品的生產(chǎn)基地,半導體集成電路是該產(chǎn)業(yè)的基石,存儲器是集成電路的核心部件之一 ,全球存儲器市場(chǎng)達600億美金以上, 其中中國存儲器市場(chǎng)達1800億人民幣,可見(jiàn)本項目產(chǎn)業(yè)化前景巨大, 項目完成后將對我國社會(huì )經(jīng)濟的發(fā)展起到重要的推動(dòng)作用 。