SOICMOS器件電離總劑量輻射損傷規律研究是為我國國產(chǎn)抗輻射加固超大規模集成電路研制服務(wù)的基礎研究項目。通過(guò)利用新疆理化技術(shù)研究所眾多輻射源開(kāi)展國產(chǎn)SOI材料、器件、抗輻射加固電路等的損傷規律研究。為國產(chǎn)抗輻射加固SOI材料、抗輻射加固SOICMOS提供考核及評估方法具有很強的實(shí)用性。為國產(chǎn)抗輻射加固集成電路的產(chǎn)業(yè)化奠定堅實(shí)的基礎。
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