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    科技成果

    Achivements

    高效率高光通量LED關(guān)鍵技術(shù)及3W級LED芯片開(kāi)發(fā)

    來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2016-03-24

    本項目主要研究高效率、高光通量LED的一些關(guān)鍵技術(shù),針對3W級LED芯片產(chǎn)品進(jìn)行開(kāi)發(fā)研究。研究高效率、高光通量LED芯片制作的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題,采用自支撐同質(zhì)GaN襯底實(shí)現垂直結構的條形高效率、大通量LED 芯片,解決LED倒裝輝接散熱技術(shù)難題,開(kāi)發(fā)出3W級100lm/W的高效率大功率LED芯片產(chǎn)品。

    聯(lián)系方式:中國科學(xué)院蘇州納米所 聯(lián)系人:周揚
    電話(huà):0512-62872711 郵箱:Yangzhou2008@sinano.ac.cn

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